ALD原子層沉積設(shè)備是一種用于精確涂層制備的高科技設(shè)備。以下是從開(kāi)機(jī)到關(guān)機(jī)的詳細(xì)操作步驟:
開(kāi)機(jī)前準(zhǔn)備
檢查設(shè)備連接:確認(rèn)水源、氣源、電源連接正常,各類管道無(wú)泄漏,各氣體閥門處于關(guān)閉狀態(tài)。
檢查真空系統(tǒng):查看真空泵油位、管路連接及接口密封是否良好。
開(kāi)機(jī)操作
打開(kāi)設(shè)備總電源開(kāi)關(guān),啟動(dòng)控制系統(tǒng),待設(shè)備自檢完成,各指示燈顯示正常。
打開(kāi)工作氣體閥門,調(diào)節(jié)氣體流量至設(shè)定值,并通過(guò)氣體質(zhì)量流量控制器確認(rèn)流量穩(wěn)定。
啟動(dòng)加熱系統(tǒng),按照工藝要求設(shè)定加熱溫度,等待加熱元件和反應(yīng)腔室升溫。
打開(kāi)真空泵,在設(shè)備升溫過(guò)程中開(kāi)啟初級(jí)泵對(duì)真空腔室進(jìn)行預(yù)抽氣,使腔室壓力降至設(shè)定范圍。
當(dāng)腔室溫度達(dá)到設(shè)定值且壓力穩(wěn)定后,進(jìn)行工藝配方參數(shù)設(shè)定,包括沉積氣體種類、流量、通斷時(shí)間、反應(yīng)溫度等。
啟動(dòng)沉積程序,觀察設(shè)備運(yùn)行狀態(tài),如壓力、溫度、流量等參數(shù)是否實(shí)時(shí)變化正常。
關(guān)機(jī)操作
當(dāng)工藝沉積過(guò)程完成后,停止通入反應(yīng)氣體,繼續(xù)通入吹掃氣體一段時(shí)間,以清除反應(yīng)殘留。
等待腔室溫度降至安全范圍(一般為50-100℃),可根據(jù)工藝要求在控制系統(tǒng)中設(shè)定降溫時(shí)間。
關(guān)閉加熱系統(tǒng)、工作氣體閥門,停止各氣體供應(yīng)。
關(guān)閉真空泵,關(guān)閉設(shè)備控制系統(tǒng),關(guān)閉總電源開(kāi)關(guān)。
對(duì)設(shè)備進(jìn)行清潔和維護(hù),記錄本次操作相關(guān)參數(shù)和情況,以便后續(xù)參考。
通過(guò)以上詳細(xì)步驟,能夠正確操作ALD原子層沉積設(shè)備,確保設(shè)備正常運(yùn)行,并獲得高質(zhì)量的薄膜沉積效果。